化學(xué)鎳鈀金電路板工藝
發(fā)布時間:2019-02-06
光模塊產(chǎn)品趨向小型化,高速化,而且隨著網(wǎng)絡(luò)通訊的普及,光模塊需求量不斷攀升,價格不斷下降。為了適應(yīng)光模塊的小型化和生產(chǎn)的批量化并降低成本,光模塊生產(chǎn)工藝中引入了COB(Chip On Board)生產(chǎn)工藝,COB工藝是將裸芯片和激光器等器件直接固定到電路板上,采用綁定(wire bonding)工藝,通過熱超聲波焊接技術(shù)直接用金線進(jìn)行信號之間的互聯(lián)。為了達(dá)到COB工藝的光模塊生產(chǎn)和使用要求,電路板需要滿足如下要求:電路板焊盤需要鍍軟金(純金)以便能與金線融合實現(xiàn)綁定,電路板的金手指需要耐磨性能良好滿足插拔的要求,電路板表面處理工藝不能太復(fù)雜而造成加工時間和成本太高,并滿足ROHS要求。
能夠滿足該類光模塊電路板要求的表面處理工藝只有兩種:
第一種工藝為化學(xué)鍍鎳金工藝(ENEG):在銅板上面鍍鎳,在鎳上面鍍一層軟金,鍍鎳是因為鎳與銅和金都有較好的附著力,為了避免鎳通過軟金鍍層的細(xì)孔遷移到表面而污染腐蝕焊盤造成綁定困難,軟金層需要有一定的厚度,鍍金厚度0.3um以上,在金手指部位,軟金不耐磨,需要局部鍍硬金(金的合金)。ENEG在生產(chǎn)上還有一個難以解決的問題:綁定需要鍍金厚鍍0.3um以上,而焊錫需要金厚在0.05um左右焊接可靠性好,因此需要在電路板不同區(qū)域采用不同的鍍金厚度。由此可見,由于電路板需要在焊接區(qū)域,綁定區(qū)域和金手指區(qū)域的表面處理分別進(jìn)行,電路板加工工藝復(fù)雜,成本高和成品率低。
第二種工藝為化學(xué)鍍鎳鈀浸金(ENEPIG),工藝簡稱鎳鈀金工藝,最早由Intel開發(fā)的表面處理工藝,通過在鍍鎳和鍍純金之間增加了鍍鈀層,將鍍鎳與鍍金層隔開,隔離鎳向表面金層的遷移,鍍金層的厚度可減小到0.1um以下。由于金屬鈀耐磨且比硬金硬度高,厚度0.3um左右的鈀解決了金手指的耐插拔問題,電路板全板采用一種表面處理工藝,生產(chǎn)周期縮短和成品率上升從而降低成本。鈀和金都屬于化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的金屬,電路板的存放時間長,能進(jìn)行多次回流焊加工。鎳鈀金工藝剛開發(fā)時,由于鈀的價格比金貴的多,在成本上難以控制,隨著金屬鈀的價格降低,目前鈀的價格是金的一半以下,鎳鈀金工藝代替鎳金工藝是必然趨勢。
表1 兩種工藝的特性比較
|
特性
|
EPEG
|
ENEPIG
|
|
耐儲時間
|
由于鎳遷移,短
|
長
|
|
加工工序
|
多次鍍金(復(fù)雜)
|
鍍鈀浸金(簡單)
|
|
表面金厚度
|
厚(0.3μm)
|
薄(<0.1μm)
|
|
綁定功能
|
有
|
有
|
|
回流焊次數(shù)
|
不可靠
|
可靠
|
|
金手指
|
硬金,耐磨
|
厚鈀薄金,耐磨
|
|
成本
|
鍍金層厚,成本較高
|
鈀比金便宜,成本較低
|
|
可靠性
|
低
|
鈀具有熱擴散性,可靠性高
|
摩泰光電的SFP28 25G SR/AOC, QSFP28 100G SR/AOC, QSFP 40G SR/AOC產(chǎn)品的電路板采用鎳鈀金工藝制作,具有良好的可生產(chǎn)性,歡迎大家選購。

40G/100G 光模塊
25G 光模塊
10G 光模塊
155M/2.5G 光模塊
1G 光模塊
1G BIDI 光模塊
雙速率 光模塊
FC 16G/32G光模塊
CWDM 光模塊
DWDM 光模塊
SGMII端口 光模塊
XFP 光模塊
100M/1G/10G 電口模塊
有源光纜 AOC
高速線纜 DAC
常規(guī)/MTP-MPO 光纖跳線
MT2010
MT2011
CodingBox
QSFP轉(zhuǎn)SFP模塊






